固體電子學研究與進展雜志基礎信息：

《固體電子學研究與進展》雜志是南京電子器件研究所主辦的全國性學術季刊，向國內外公開發行。國內統一刊號：CN32-1110/TN，國際統一刊號：ISSN1000-3819。面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究。刊登的主要內容為：無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統（MEMS）、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發光器件（OLED）和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創新性科學技術報告和學術論文，論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

固體電子學研究與進展雜志欄目設置：

本刊主要欄目：器件物理、射頻器件與電路、微電子學、光電子學、半導體材料。

固體電子學研究與進展雜志訂閱方式：

ISSN：1000-3819，CN：32-1110/TN，地址：南京市1601信箱43分箱（南京市中山東路524號），郵政編碼：210016。

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固體電子學研究與進展雜志社投稿信息

1．文章標題：一般不超過300個漢字以內，必要時可以加副標題，最好并譯成英文。

2．作者姓名、工作單位：題目下面均應寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級單位）、所在城市（不是省會的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應以序號分別列出上述信息。

3．提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，100－200字為宜。

4．關鍵詞：3－5個，以分號相隔。

5．正文標題：內容應簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。

6．正文文字：一般不超過1萬字，用A4紙打印，正文用5號宋體。

7．數字用法：執行GB/T15835－1995《出版物上數字用法的規定》，凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數與計量等均采用阿拉伯數字；夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數字作為語素構成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數字并列連用的概略語等用漢字數字。

8．圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時，應簡潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯數字順序編號，應有簡明表題（表上）、圖題（圖下），表中數字應注明資料來源。

9．注釋：是對文章某一特定內容的解釋或說明，其序號為①②③……，注釋文字與標點應與正文一致，注釋置于文尾，參考文獻之前。

10．參考文獻：是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號標出，詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型：普通圖書[M]，會議論文[C]，報紙文章[N]，期刊文章[J]，學位論文[D]，報告[R]，標準[S]，專利〔P〕，匯編[G]，檔案[B]，古籍[O]，參考工具[K]。

11．基金資助：獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號，按項目證明文字材料標示清楚.

12．作者簡介：第一作者姓名（出生年月-），性別，民族（漢族可省略），籍貫，現供職單位全稱及職稱、學位，研究方向。

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固體電子學研究與進展雜志社編輯部征稿超薄HfO_2高K柵介質薄膜的軟擊穿特性納米級MOSFET器件模擬的載流子輸運模型深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二極管特性研究AlGaN/GaN一維模型自洽求解和二維電子氣特性研究n溝道4H-SiCMESFET研究RF等離子輔助熱絲CVD法制備大面積β-SiC薄膜注入同步鎖相環式時鐘恢復電路MMIC的設計和實現組合式非周期缺陷接地結構中FDTD應用研究一種X波段GaAs單片單刀雙擲開關與HBT工藝兼容的新型負阻器件的研制與分析HBT小信號等效電路參數解析提取HfO_2/TaON疊層柵介質GepMOSFET制備及遷移率退化研究基于量子元胞自動機的奇偶校驗系統分塊設計基于碳納米管宏觀體的熱線式流速探針三終端量子環的透射概率和概率流密度應變Si/(001)Si1-xGex價帶結構超薄HfN界面層對HfO_2柵介質GepMOSFET電性能的改進四終端量子環自旋輸運的性質應變Si(100)態密度模型橫向接觸式RFMEMS開關一種低功耗自動頻率修正的復數濾波器設計一款應用于GPS接收機的抗失配零中頻混頻器