微電子技術雜志基礎信息：

《微電子技術》雜志是國家科技部、國家新聞出版局批準的國家正式出版物，國內(nèi)外公開發(fā)行。它是由信息產(chǎn)業(yè)部主管，中國華晶電子集團公司主辦的科學技術刊物。本刊以從事半導體和做電子研究與生產(chǎn)的在職職員、科研學者、大中專院校師生以及電子行業(yè)的各級管理人員和計算機、通信、電子系統(tǒng)應用單位的技術人員為主要對象，是一種集學術性、技術性、應用性、信息性于一體的科技刊物。

微電子技術雜志欄目設置：

《微電子技術》雜志主要欄目：專家論壇、綜述、設計與制造、通信與計算機、材料與設備、材料與設備、封裝與可靠性。

微電子技術雜志訂閱方式：

ISSN：1008-0147，CN：32-1479/TN，地址：江蘇省無錫市梁溪路14號（無錫105信箱），郵政編碼：214061。

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微電子技術雜志社投稿信息

1.來稿要求論點明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴密、文字精煉，每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者（一般為導師）簡介（包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學位、目前主要從事的工作和研究方向），在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金（編號）資助，沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘，包括目的、方法、結果、結論4方面內(nèi)容（100字左右），應具有獨立性與自含性，關鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3～5個）。

3.文稿篇幅（含圖表）一般不超過5000字，一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫，正、斜體，黑、白體，上下角標應區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應有自明性。圖片不超過2幅，圖像要清晰，層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的，請采用腳注方式標明，參考文獻不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后，5個工作日內(nèi)審稿，電子郵件回復作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知（特別需要者可寄送紙質錄用通知），則請與本部聯(lián)系確認。

7.來稿文責自負。所有作者應對稿件內(nèi)容和署名無異議，稿件內(nèi)容不得抄襲或重復發(fā)表。對來稿有權作技術性和文字性修改，雜志一個版面2500字，二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù)，出刊日期，是否加急等情況，請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿，本部不退稿。

9.論文一經(jīng)發(fā)表，贈送當期樣刊1-2冊，需快遞的聯(lián)系本部。

10.請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細聯(lián)系地址、電話（包括手機）、郵編等信息，以便聯(lián)系有關事宜。

微電子技術雜志社編輯部征稿微米、亞微米掩模等離子刻蝕技術初探有埋層圖形外延片表面HCI腐蝕量的控制國家半導體公司開發(fā)Ti硅化物新工藝國產(chǎn)123型內(nèi)涂膠的應用研究AMD公司在中國建立安裝工廠在同一機器上進行鐵鎳和銅材引線框的Sn/Pb電鍍一種最新的等離子體腐蝕技術──TM-ECR拉晶條件對單晶中氧含量及其分布的影響亞微米CMOS工藝設計中的幾點考慮AT&T開發(fā)的0.35μm工藝器件內(nèi)部多層布線技術在任意層間可開出直徑約150μm通孔的樹脂多層印刷布線基板間距為0.5μm的銅布線工藝技術一種新型智能COD儀的研制CCS集成環(huán)境下C與匯編的混合編程實現(xiàn)CMOS集成電路靜電泄漏實驗分析數(shù)模混合電路的工藝開發(fā)G.723.1雙速率語音編解碼算法在TMS320VC5402上的實現(xiàn)涂膠設備背面沖洗功能的開發(fā)與研制高速小型異物監(jiān)控器軍用電子設備研制中元器件的質量與可靠性管理單片機抗干擾技術在激光打標控制系統(tǒng)中的應用3610電路測試技術研究